the Infineon 30V 單 n 通道 ir mosfet 采用 D2 封裝。
平面細胞結構、用于寬范圍優化、以實現最廣泛的可用性 分銷合作伙伴
產品資格符合 dec 標準
硅經優化用于切換低于 <100kHz 的應用
工業標準表面安裝電源封裝
高電流承載能力封裝（高達 195 a 、取決于模具尺寸）
能夠進行波焊
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 140 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 9 個月 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
