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Infineon ISC0802NLSATMA1 MOSFET

訂 貨 號:ISC0802NLSATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Infineon ISC0802NLSATMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 專為 USB-PD 和適配器應用而設計。它采用 SuperSO8 封裝,可提供快速上升和優(yōu)化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件,從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝,提供優(yōu)質產品。

邏輯級別可用性
極佳的熱行為
通過 100% 雪崩測試


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 150 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 SO8
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 0.0036 O , 0.0048 O
最大柵閾值電壓 2.3V
每片芯片元件數目 1
晶體管材料 Si
暫無

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