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產(chǎn)品分類

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Microchip DN2625K4-G MOSFET

訂 貨 號(hào):DN2625K4-G      品牌:Microchip

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Microchip DN2625K4-G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

DN2625 是一款低閾值耗盡型(常開(kāi))晶體管,采用先進(jìn)的垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。

其他特點(diǎn):極低的柵極閾值電壓
設(shè)計(jì)為源極驅(qū)動(dòng)
低切換損耗
低有效輸出電容
設(shè)計(jì)用于感性負(fù)載
當(dāng)由 MD2130 驅(qū)動(dòng)時(shí),可完美匹配低二次諧波


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 1.1 A
最大漏源電壓 250 V
封裝類型 TO-252
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 3.5 Ω
通道模式 消耗
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
寬度 6.1mm
典型柵極電荷@Vgs 7.04 nC @ 1.5 V
每片芯片元件數(shù)目 2
長(zhǎng)度 6.6mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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