Infineon 62 mΩ 1200 v 、 6 μ m 半橋模塊,帶有 cool sic ? mosfet 。
高電流密度
低切換損耗
卓越的柵極氧化物可靠性
高穩(wěn)定性、防潮
堅固的集成主體二極管、從而實現(xiàn)最佳熱條件
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 250 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | Ag- 62mm |
安裝類型 | 螺絲安裝 |
最大漏源電阻值 | 5.81 米Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.45V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |