Infineon 100V 功率 mosfet 特別適用于電信模塊的同步整流、包括 or-ing 、熱插拔和電池保護、以及服務器電源應用。與類似設備相比、該設備的 rds (接通)更低、達 22% 、是業內領先的 fom 的最大貢獻之一、它具有低通態電阻、可提供最高水平的功率密度和效率。
通過 100% 雪崩測試
符合用于目標應用的符合 dec 標準
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 180 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | Pg - TO263 - 7 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 7 |
最大漏源電阻值 | 0.0024 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數目 | 1 |