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產(chǎn)品分類

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Infineon IMZ120R045M1XKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IMZ120R045M1XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IMZ120R045M1XKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon coolsic ? 1200 v 、 45 mΩ sic mosfet 采用 TO247 41-4 封裝,基于最先進(jìn)的 trench 半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化可將性能與可靠性完美結(jié)合。與基于硅( si )的傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)(如溝器和 mosfet )相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢(shì)。

同類最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵 - 源電壓范圍
堅(jiān)固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 52 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 Pg - TO247 - 4
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 45 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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