Infineon IPB120N08S403ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
此 Infineon T2 mosfet 經(jīng)過 100% 雪崩測試、符合 rohs 標準。
符合 aec Q101 標準
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
120 A |
| 最大漏源電壓 |
80 V |
| 封裝類型 |
D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.0025. Ω |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |