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+比較

Infineon IPN95R2K0P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPN95R2K0P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPN95R2K0P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 950V cool mos ? P7 系列旨在滿足高電壓功率的高電壓功率的功率不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)者需求,最新的 950V cool mos ? P7 技術(shù)主要面向低功率的開關(guān)電源市場(chǎng)。與前代產(chǎn)品 900V cool mos ? C3 相比, 950V cool mos ? P7 系列的阻塞電壓增加了 50V ,在效率、熱行為和易用性方面均可提供卓越的性能。作為所有其他 P7 系列的成員, 950V cool mos ? P7 系列隨附集成齊納二極管 esd 保護(hù)。集成二極管顯著提高了 esd 穩(wěn)定性、從而減少了 esd 相關(guān)的屈服損耗并達(dá)到了卓越的易用性水平。cool mos ? P7 采用杰出的 3V vgs ( the )和 ± 0.5v 的窄容差,使其易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)。

杰出的 fomrds(on) * 以斯 減少了 qg 、 ciss 和 coss
同類杰出的高級(jí)型高通( on )
杰出的 cool mos ?品質(zhì)和
完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 SOT-223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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