汽車級 MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 標準的功率 MOSFET 產品組合，對汽車系統要求和專注技術能力的深入了解，使 Nexperia 能夠在廣泛的應用中提供功率半導體解決方案。從驅動簡單的車燈到發動機、車身或底盤應用中功率控制的復雜需求，Nexperia 功率半導體可以解決許多汽車系統的功率問題。
符合 AEC-Q101 標準
重復性耐雪崩等級
由于額定溫度為 175°C，適用于對熱量要求苛刻的環境
20 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增強模式場效應晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
超快切換
增強型功耗能力：Ptot = 890 mW
靜電放電 (ESD) 保護 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | -3.3 A |
| 最大漏源電壓 | -20 V |
| 封裝類型 | SOT23，TO-236AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -1.25V |
| 最小柵閾值電壓 | -0.75V |
| 最大功率耗散 | 6250 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 12 V |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 5 nC @ 10 V |
| 寬度 | 1.4mm |
