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產(chǎn)品分類

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Nexperia PMV65XPEAR MOSFET

訂 貨 號:PMV65XPEAR      品牌:PMV

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV65XPEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車級 MOSFET,世界上最大的符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,對汽車系統(tǒng)要求和專注技術(shù)能力的深入了解,使 Nexperia 能夠在廣泛的應(yīng)用中提供功率半導(dǎo)體解決方案。從驅(qū)動簡單的車燈到發(fā)動機(jī)、車身或底盤應(yīng)用中功率控制的復(fù)雜需求,Nexperia 功率半導(dǎo)體可以解決許多汽車系統(tǒng)的功率問題。

符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
重復(fù)性耐雪崩等級
由于額定溫度為 175°C,適用于對熱量要求苛刻的環(huán)境

20 V,P 通道 Trench MOSFET,P 通道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力:Ptot = 890 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 2 kV HBM
符合 AEC-Q101


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 -3.3 A
最大漏源電壓 -20 V
封裝類型 SOT23,TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -1.25V
最小柵閾值電壓 -0.75V
最大功率耗散 6250 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 12 V
每片芯片元件數(shù)目 3
最高工作溫度 +150 °C
長度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 5 nC @ 10 V
寬度 1.4mm
暫無

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