國際整流器的英飛凌系列第五代 hex場 效應晶體管利用先進的處理技術 Advanced on resistance for Infineon area 的導通電阻極 International Rectifier 。此優勢結合了 ex場 效應晶體管聞名的快速切換速度和耐震設備設計、可提供足夠的電平設備、為設計人員提供極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。so-8 經改良通過自定義引線框、可增強熱特性和多模能力、使其特別適用于各種電源應用。通過此改進、多個設備可用于顯著減少板空間的應用。該封裝設計用于汽相、紅外線用于波焊技術。
v 代技術
超低接通電阻
表面安裝
完全耐雪崩等級
雙 n 溝道 mosfet
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6.6 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.029. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.7V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
