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ON Semiconductor 碳化硅（SiC）MOSFET 是 N 通道 MOSFET，漏極到源極電壓為 650 V，功率耗散為 176 W，TO247-3L 封裝，此設備不含鹵化物，符合 RoHS 的豁免 7a，無鉛 2LI。

超低柵極電荷 74 nC
低電容 133 pF
100% 經雪崩測試
溫度 175°C
RDS（on）44 歐姆