此 Infineon ex場 功率 mosfet 利用先進 Advanced 處理技術,可在每個硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。此優(yōu)勢結合了快速切換速度和耐震性 設備設計提供可靠且高效的設備
它具有完全耐雪崩等級
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 10 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.18 Ω |
最大柵閾值電壓 | 2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |