on ON Semiconductor 30V 功率 mosfet?170 a 的漏極電流和單 n μ a 的通道。它可改善浪涌電流管理并提高系統(tǒng)效率。
低 rds (接通)可有效減少傳導
低電容、有效減少驅(qū)動器
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 170 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00174. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |