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產(chǎn)品分類

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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD80R360P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD80R360P7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 800V coolmos ? P7 超結(jié) mosfet 系列可完全滿足市場(chǎng)對(duì)性能、易用性和性價(jià)比的需求,是低功率開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的理想選擇。它主要側(cè)重于回掃應(yīng)用、包括適配器和充電器、 led 驅(qū)動(dòng)器、音頻開(kāi)關(guān)電源、輔助和工業(yè)電源。 與之前的產(chǎn)品以及在典型回掃應(yīng)用中經(jīng)過(guò)測(cè)試的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比、此新產(chǎn)品系列可提供高達(dá) 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 溫度。它還可通過(guò)更低的切換損耗和更好的 dak r ds ( on )產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度設(shè)計(jì)。總體而言、它可幫助客戶節(jié)省 bom 成本并減少裝配工作量。

杰出的 fom rds (接通) * 減少了 qg 、 ciss 和 coss
杰出的 dak rds (接通)
杰出的 v ( gs ) th 3V 和最小的 v ( gs ) th 變化 ±0.5 v
集成齊納二極管 esd 保護(hù)
完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 13 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 360 mo
最大柵閾值電壓 3.5V
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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