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產(chǎn)品分類

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Infineon IPD40N03S4L08ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPD40N03S4L08ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Infineon IPD40N03S4L08ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強模式
AEC 合格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標準)

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 8.3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 42 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -16 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 15 nC @ 10 V
寬度 6.22mm
晶體管材料 Si
暫無

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