the Infineon coolmos ? P7 超結( sj ) mosfet 設計可提供出色的性能和易用性,從而改善外形和價格競爭力,從而應對低功率開關電源市場的典型挑戰。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產品、還可在某些設計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使采用了第 223-223 封裝的 coolmos ? P7 特別適用于其目標應用。
由于極低的 fomr ds(on) *qg 和,極低的損失 rds (接通) * eoss
極佳的熱行為
集成 esd 保護二極管
低切換損耗( eoss )
產品驗證符合dec 標準
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 10 A |
最大漏源電壓 | 700 V |
封裝類型 | SOT-223 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 450 mo |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |