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產(chǎn)品分類

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Infineon IRF6785MTRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRF6785MTRPBF      品牌:國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRF6785MTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon ex場(chǎng) 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 200V 、采用 direct場(chǎng) 效應(yīng)管 mz 封裝、額定電流為 19 安培、經(jīng)優(yōu)化具有低接通電阻。此數(shù)字音頻 mosfet 專門設(shè)計(jì)用于 d 類音頻放大器應(yīng)用。此 mosfet 利用最新的處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)每個(gè)硅區(qū)域的低接通電阻。此外、柵極電荷、主體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可提高效率、總諧波和 emi 等關(guān)鍵 d 類音頻放大器性能因素。IRF6785MPbF 設(shè)備采用 direct東帝汶 封裝技術(shù)。與傳統(tǒng)的線粘結(jié)型封裝相比、 direct東帝汶 封裝技術(shù)可提供更低的寄生電感和電阻。

最新 mosfet 硅技術(shù)
關(guān)鍵參數(shù)針對(duì) d 類音頻放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
兼容雙面冷卻
無(wú)鉛(最高 260°c 回流)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 19 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 Direct東帝汶 信托基金 (m)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 7
最大漏源電阻值 0.1 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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