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產(chǎn)品分類

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Infineon IRF6785MTRPBF MOSFET

訂 貨 號:IRF6785MTRPBF      品牌:國際整流器_IR

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Infineon IRF6785MTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon ex場 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 200V 、采用 direct場 效應(yīng)管 mz 封裝、額定電流為 19 安培、經(jīng)優(yōu)化具有低接通電阻。此數(shù)字音頻 mosfet 專門設(shè)計用于 d 類音頻放大器應(yīng)用。此 mosfet 利用最新的處理技術(shù)實現(xiàn)每個硅區(qū)域的低接通電阻。此外、柵極電荷、主體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過優(yōu)化、可提高效率、總諧波和 emi 等關(guān)鍵 d 類音頻放大器性能因素。IRF6785MPbF 設(shè)備采用 direct東帝汶 封裝技術(shù)。與傳統(tǒng)的線粘結(jié)型封裝相比、 direct東帝汶 封裝技術(shù)可提供更低的寄生電感和電阻。

最新 mosfet 硅技術(shù)
關(guān)鍵參數(shù)針對 d 類音頻放大器應(yīng)用進行了優(yōu)化
兼容雙面冷卻
無鉛(最高 260°c 回流)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 19 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 Direct東帝汶 信托基金 (m)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 7
最大漏源電阻值 0.1 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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