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Infineon coolsic ? mosfet mΩ 1200 v ， 220 m 2 ， TO247 采用 43-4 封裝，采用先進的溝道半導體工藝制造，經過優化，性能與可靠性相結合。與基于硅（ si ）的傳統開關（如溝器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列優勢。這些包括 1200 v 開關中可見的最低柵極電荷和設備電容水平、內部防換向主體二極管無反向恢復損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態特性。

同類最佳的開關和傳導損耗
基準高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關閉柵極電壓、用于輕松簡單的柵極驅動
寬柵 - 源電壓范圍
堅固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨立關閉開關損耗
驅動器源引腳、用于優化切換性能