Infineon CoolMOS C7 鍍金超結 MOSFET 系列 (G7) 結合了改進的 600V CoolMOS ? C7 鍍金技術的優點， 4 引腳 Kelvin 源容量和 TO 無鉛 (Toll) 封裝的改進熱特性，可為高達 3kW 的高電流硬切換拓撲 (如功率因數校正 (PFC)) 和高端 LLC 等諧振電路提供可能的 SMD 解決方案。
提供杰出 FOM R DS (on) XE OSS 和 R DS (on) XQ G
以最小的占用空間啟用杰出 R DS (on)
內置第 4 引腳 Kelvin 源配置和低寄生源電感 (～1nH)
符合 MSL1 標準，完全無鉛，具有輕松的 Visual 檢查槽形引線
可提高熱性能
由于改進的 C7 Gold 技術和更快的切換速度，效率更高
由于具有低 R DS (on) 和小尺寸，通過更換封裝 (高度限制) 或由于熱或 R DS (on) 要求而并聯 SMD 封裝，提高了功率密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 23 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-HSOF-8. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.15. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
