英飛凌 P 溝道功率 MOSFET 具有設(shè)計靈活和易于操作的特點(diǎn),可滿足最高性能要求,包括 -12V 系列產(chǎn)品,完美適用于電池保護(hù)、極性反接保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流 - 直流轉(zhuǎn)換器和低電壓驅(qū)動應(yīng)用。
P 通道,
低接通電阻,RDS(接通
)100% 風(fēng)險測試,
邏輯級別或正常級別,
增強(qiáng)模式,
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 180 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23-3 |