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訂 貨 號(hào):SIR178DP-T1-RE3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay n 溝道 20 v ( d-s ) mosfet 采用 powerpak so-8 封裝類型、漏極電流為 430 a 。
trench場(chǎng) 效應(yīng)第四代功率 mosfet
極低 rds x qg 品質(zhì)因數(shù)( fom )
leadership rds (接通)可最大程度減少傳導(dǎo)功率損耗
在低電壓柵極驅(qū)動(dòng)下具有 2.5 v 額定值和工作電壓
經(jīng)過 100% rg 和 uis 測(cè)試
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 430 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | Powerpak so-8 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00031 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 0.6 → 1.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |