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英飛凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技術，實現了極低的每硅面積導通電阻。本設計的其他特點包括 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結溫、快速開關和更高的重復雪崩額定值。

高級加工技術,
超低導通電阻,
工作溫度 175 ℃
快速開關
允許重復雪崩達 Tjmax
無鉛，符合 RoHS
符合汽車標準