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ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產，該工藝包含屏蔽柵極技術。此過程經優化可耐受有效減少通態電阻，但仍保持卓越的切換性能。

有效減少傳導損耗
高 Peak 電流和低寄生電感
為具有熱挑戰的應用提供更寬的設計余量
減少切換峰值