Infineon mos ?設計是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術，它是根據超級連接（ sj ）原理設計的，由 Infineon 技術公司率先開發的。cool mos ? P6 系列結合了領先的 sj mosfet 供應商的經驗和一流的創新。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優點、同時不會降低易用性。極低的切換和傳導損耗使切換應用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。
mosfet dv/dt 穩定增加
由于 fom rdson*qg 和 eoss 極低的損耗
非常高的換向堅固性
無鉛鍍層無鹵模制化合物
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12.5 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | Pg/hsof － 8 － 3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.19. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.6V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
