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onsemi NVMFS6H801NT1G MOSFET

訂 貨 號:NVMFS6H801NT1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NVMFS6H801NT1G MOSFET
產品詳細信息

ON Semiconductor

ON Semiconductor DFN5 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產品、具有 80V 的漏電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它在 10V 柵源電壓下具有 2.8mohm 的漏極電阻。其最大連續漏電電流為 157A 、最大功耗為 166W 。 此 MOSFET 的驅動電壓為 10V 。MOSFET 經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。

特點和優勢

?汽車功率 MOSFET
?緊湊高效的設計
?高散熱性能
?無鉛 (Pb)
?低 QG 和電容可最大限度地減少驅動器損耗
?低 RDS (接通)以最大限度地減少傳導損耗
?最大程度地減少驅動器損失
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?可選配可增強光學檢查功能的可濕式支架

應用

?直流 - 直流轉換器
?負載開關
? 電動機控制
?電源開關(高側驅動器、低側驅動器、 H 橋等)
?切換電源

認證

? AEC?Q101
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 157 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 5
最大漏源電阻值 2.8 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 166 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 64 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +175 °C
寬度 6.1mm
長度 5.1mm
暫無

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