Infineon MOSFET 特別適用于低電壓驅動器,如叉車和電瓶車,以及電信和太陽能應用。該產品可減少 R DS(接通) (與 SuperSO8 的下一個最佳替代品相比,高達 25%)和 Q rr,而不會影響 FOM gd 和 FOM OSS,有效地減少了設計工作,同時優化了系統效率。
更低的 R DS(接通), 不會影響 FOMgd 和 FOMoss
更低的輸出充電
超低反向恢復充電(SuperSO8 中 Q rr = 26 nC)
工作溫度 175°C
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
排放源擊穿電壓 150V
最大漏極電流 120A
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 120A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | D2PAK |
安裝類型 | 表面安裝器件 |