Infineon BSS169I 是小信號,小功率 N 溝道和 P 溝道 MOSFET ,可提供廣泛的 VGS (th) 電平和 RDS (on) 值以及多種電壓等級。此 MOSFET 具有增強型和耗盡型選項。
印刷電路板空間和成本節(jié)省
柵極驅(qū)動靈活性
降低設(shè)計復(fù)雜性
環(huán)保型
整體效率高
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 190 mA |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | PG-SOT23-3. |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
通道模式 | 消耗 |
最大柵閾值電壓 | 1.8V |