ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽柵極功率溝道 MOSFET ，具有 150 V 的漏極至源電壓
優化的切換性能
VGS = mΩ V ， ID = 75.4 A 時，最大 RDS (接通) = 10.9 m Ω
業內最低的 Qrr 和最柔軟的主體二極管，可實現卓越的低噪聲切換
Qrr 比其他 MOSFET 供應商低 50%
高效率，具有更低的切換峰值和 EMI
降低切換噪聲/EMI
改進的切換 FOM ，尤其是 Qgd
經過 100% UIL 測試
無需或更少的減震器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 75.4 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0109. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
