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ON Semiconductor MOSFET - N 通道屏蔽柵極功率溝道 MOSFET ，具有 150 V 的漏極至源電壓

優(yōu)化的切換性能
VGS = mΩ V ， ID = 75.4 A 時(shí)，最大 RDS (接通) = 10.9 m Ω
業(yè)內(nèi)最低的 Qrr 和最柔軟的主體二極管，可實(shí)現(xiàn)卓越的低噪聲切換
Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50%
高效率，具有更低的切換峰值和 EMI
降低切換噪聲/EMI
改進(jìn)的切換 FOM ，尤其是 Qgd
經(jīng)過 100% UIL 測(cè)試
無(wú)需或更少的減震器