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Infineon coolsic ? 1200 v 、 350 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-4 封裝，基于最先進(jìn)的 trench 半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過(guò)優(yōu)化可將性能與可靠性完美結(jié)合。與基于硅（ si ）的傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)（如溝器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括 1200 v 開(kāi)關(guān)中可見(jiàn)的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平、內(nèi)部防換向主體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無(wú)閾值通態(tài)特性。

同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵 - 源電壓范圍
堅(jiān)固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨(dú)立關(guān)閉開(kāi)關(guān)損耗
驅(qū)動(dòng)器源引腳、用于優(yōu)化切換性能