Infineon 200V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 采用 d-pak 封裝。
寬 soa 的平面單元結(jié)構(gòu)
針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優(yōu)化
產(chǎn)品資格符合 dec 標準
硅經(jīng)優(yōu)化用于切換低于 <100kHz 的應(yīng)用
工業(yè)標準表面安裝電源封裝
能夠進行波焊
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5 A |
最大漏源電壓 | 200 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面安裝器件 |
最大漏源電阻值 | 600 個月 |
最大柵閾值電壓 | 4V |