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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Microchip TN2106K1-G MOSFET

訂 貨 號(hào)：TN2106K1-G      品牌：Microchip

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Microchip TN2106K1-G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款低閾值增強(qiáng)型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。

無(wú)次級(jí)擊穿
低功率驅(qū)動(dòng)要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 280 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 5 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大功率耗散 360 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
長(zhǎng)度 3.04mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.4mm
暫無(wú)

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