Infineon 汽車認(rèn)證單 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 D2-Pak 封裝。功率 MOSFET 的蜂窩設(shè)計利用最新的處理技術(shù)實現(xiàn)每個硅區(qū)域的低接通電阻。由于快速切換速度和耐震設(shè)備,它可用于汽車和各種應(yīng)用。
Advanced 平面技術(shù)
動態(tài) DV/dT 額定值
175°C 工作溫度
快速切換
無導(dǎo)線
符合 RoHS
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 31 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.065 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |