20V 雙 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 SO-8 封裝
4.5V VGS 時低 RDS（接通）
極低柵極電荷
完全雪崩電壓和電流特征
雙 N 溝道 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 18.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.55V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.65V |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 4mm |
