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Infineon IRFR4104PBF MOSFET

訂貨號：IRFR4104PBF 品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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電動(dòng)機(jī)控制 MOSFET

Infineon 為電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用提供全面的強(qiáng)建 N 通道和 P 通道 MOSFET 設(shè)備組合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 設(shè)備的組合，適用于交流-直流電源，支持客戶對更高功率密度、更小尺寸、更便于攜帶和更靈活的系統(tǒng)的需求。

Infineon IRFR4104 是 40V 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D-Pak 封裝。此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。

Advanced 工藝技術(shù)
超低接通電阻
175°C 工作溫度
快速切換

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	119 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	6 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	140 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs	59 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si
長度	6.73mm
寬度	6.22mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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