碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技術，與硅相比，它具有卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此，系統的優勢包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和減小系統大小。
1200V 等級
最大 RDS （接通） = 110mΩ Ω （ Vgs = 20V 時）、 ID = 20A
高速開關和低電容
器件不含鉛
應用
PFC
OBC
最終產品
用于 EV/PHEV 的汽車直流 - 直流轉換器
汽車車載充電器
汽車輔助電機驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 44 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 162 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 348 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -15 V 、 +25 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | SiC |
| 長度 | 15.87mm |
| 寬度 | 4.82mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 56 常閉 @ 20 V |
