Infineon MOSFET 950V CoolMOS P7 系列在 950V 超結技術方面樹立了新的標桿,并將同類最優性能與一流的易用性結合在一起,這是 Infineon 18 年來引領超結技術創新的結果。
同類最優 FOM RDS(導通) * Eoss
同類最優 DPAK RDS(導通)
同類最優 V(GS) 3V
完全優化的產品組合
集成齊納二極管 ESD 保護
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 9 A |
最大漏源電壓 | 950 V |
封裝類型 | TO-252-3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |