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產(chǎn)品分類
分類：
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Infineon IRLML6302GTRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRLML6302GTRPBF      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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Infineon IRLML6302GTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 780 mA
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 Micro6
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 900 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.5V
最小柵閾值電壓 0.7V
最大功率耗散 540 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 3.04mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 2.4 nC @ 4.5 V
寬度 1.4mm
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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