Vishay 第三代功率 MOSFET 為設計人員提供了快速切換，耐震設備設計，低接通電阻和成本效益的最佳組合。TO-220 FULLPAK 在商業 - 工業應用中無需額外的絕緣硬件。使用的模制化合物在插片和外部散熱器之間提供了高隔離能力和低熱阻。
動態 dV/dt 額定值
低熱阻
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4.6 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | TO-220FP |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 850 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
