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SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統(tǒng)，以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET? MOSFET 中主體二極管的反向恢復性能經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計，無需額外器件，并能提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 81 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
低切換損耗
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅固的主體二極管）
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS（接通）= 70 m?
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
電信電源
服務(wù)器電源
EV 充電器
太陽能/UPS