on ON Semiconductor 系列 150V n 溝道 mosfet 采用先進 Advanced 工藝生產、并采用屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
最大漏極電流額定值為 61A
漏極到源電阻額定值為 14mohm
小尺寸（ 5mm x 6mm ）、采用緊湊型設計
低 rds （接通）可最大程度減少傳導損耗
低 qg 和電容、可最大程度減少驅動器損耗
100% uil 測試
封裝為電源 56 （ PQFN8 ）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 61 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | PQFN8 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 14 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
