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Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI3493BDV-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Vishay 半導體 SI3493BDV-T1-GE3 是 6 引腳， 20 V ， 8 A ，表面安裝 P 通道 MOSFET ，通常用于負載， PA 和電池開關。

無鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
PWM 優(yōu)化
通過 100 % Rg 測試
符合 RoHS 指令 2002/95/EC


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TSOP6
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 45 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 -0.9V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 2.97 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±8 V
長度 3.1mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 29 nC @ 10 V
寬度 1.7mm
暫無

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