為您的便攜式設(shè)計提供開關(guān)解決方案。多種高達(dá) 20 V 的單雙 N 通道 MOSFET 可供選擇。由于我們值得信賴的 TrenchMOS 和封裝技術(shù)而具有出色的可靠性。易于使用,我們的低電壓 MOSFET 專門設(shè)計用于滿足具有低驅(qū)動電壓的便攜式應(yīng)用的要求。
N 通道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,使用 Trench MOSFET 技術(shù)。
Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力為 1000 mW
目標(biāo)應(yīng)用
LED 驅(qū)動器
電源管理
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.4 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | TO-236AB |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 100 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 0.9V |
最小柵閾值電壓 | 0.4V |
最大功率耗散 | 5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 12 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 1.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
長度 | 3mm |
最高工作溫度 | +150 °C |