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Nexperia PMV30UN2R MOSFET

訂 貨 號:PMV30UN2R      品牌:PMV

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Nexperia PMV30UN2R MOSFET
產品詳細信息

為您的便攜式設計提供開關解決方案。多種高達 20 V 的單雙 N 通道 MOSFET 可供選擇。由于我們值得信賴的 TrenchMOS 和封裝技術而具有出色的可靠性。易于使用,我們的低電壓 MOSFET 專門設計用于滿足具有低驅動電壓的便攜式應用的要求。

N 通道增強模式場效應晶體管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,使用 Trench MOSFET 技術。

Trench MOSFET 技術
低閾值電壓
超快切換
增強型功耗能力為 1000 mW
目標應用
LED 驅動器
電源管理
低側負載開關
開關電路


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 5.4 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 0.9V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 12 V
每片芯片元件數目 1
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
長度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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