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Nexperia PMV30UN2R MOSFET

訂 貨 號:PMV30UN2R      品牌:PMV

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV30UN2R MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

為您的便攜式設(shè)計提供開關(guān)解決方案。多種高達(dá) 20 V 的單雙 N 通道 MOSFET 可供選擇。由于我們值得信賴的 TrenchMOS 和封裝技術(shù)而具有出色的可靠性。易于使用,我們的低電壓 MOSFET 專門設(shè)計用于滿足具有低驅(qū)動電壓的便攜式應(yīng)用的要求。

N 通道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,使用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力為 1000 mW
目標(biāo)應(yīng)用
LED 驅(qū)動器
電源管理
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.4 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 0.9V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 12 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 1.4mm
典型柵極電荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
長度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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