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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay SiSH536DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SiSH536DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SiSH536DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay N 通道 30 V (D-S) MOSFET。

經(jīng)過(guò) 100 % Rg 和 UIS 測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 67.4 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPak 1212-8SH
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.00325 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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