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on ON Semiconductor 150V 功率 mosfet?139 a 的漏極電流、與單 n μ a 通道一起使用。它采用 Advanced power trench 工藝生產(chǎn)、該工藝采用屏蔽柵極技術(shù)。它具有行業(yè)最低的 qrr 和軟測試主體二極管、用于提供卓越的低噪聲切換。

vgs @ 10V 時最大 rds （接通） 5.0 m
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
100% uil 測試