TrenchFET? Gen IV power MOSFET
SkyFET? with monolithic Schottky diode
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 40 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | 1212 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 46.3 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -16 V，+20 V |
| 寬度 | 3.15mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 V 時，38.5 常閉 |
| 長度 | 3.15mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
