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Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品，漏 - 源電壓為 30V ，最大柵 - 源電壓為 20V。在 10V 的柵極源電壓下，漏極 - 源電阻為 19.2mohm。它的最大功耗為 4.2W ，連續(xù)漏極電流為 8A。此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?適配器開關
?直流 / 直流轉換器
?適用于移動計算 / 消費者
?負載開關

認證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC 61249-2-21
?經(jīng)過 RG 測試
? UIS 測試