具有肖特基二極管的 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
具有單片肖特基二極管的 SkyFET ?
優化的 RDS x QG 和 RDS x QGD FOM 可提高高頻切換的效率
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 181.8 a. |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPak 1212-S |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2.01 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 65.8 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -12 V、+16 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 3.3mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 3.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 57 nC @ 10 V |
