RD3G500GN 是低接通電阻 MOSFET，適用于開關應用。
低接通電阻
高功率封裝 (TO-252)
無鉛引線電鍍
無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 2 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 6.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 35 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 6.4mm |
| 長度 | 6.8mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
