Infineon HEXFET 功率 MOSFET 采用雙 SO-8 封裝,利用最新處理技術(shù)實現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。高效 SO-8 封裝提供增強的熱特性和雙 MOSFET 模具能力,使其特別適用于各種電源應(yīng)用。
Advanced 平面技術(shù)
動態(tài) DV/dT 額定值
邏輯電平柵極驅(qū)動
175°C 工作溫度
快速切換
無導(dǎo)線
符合 RoHS
符合汽車規(guī)格
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.1 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | SO |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
最大柵閾值電壓 | 3V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |