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Infineon HEXFET 功率 MOSFET 采用雙 SO-8 封裝，利用最新處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。高效 SO-8 封裝提供增強(qiáng)的熱特性和雙 MOSFET 模具能力，使其特別適用于各種電源應(yīng)用。

Advanced 平面技術(shù)
動(dòng)態(tài) DV/dT 額定值
邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)
175°C 工作溫度
快速切換
無(wú)導(dǎo)線
符合 RoHS
符合汽車規(guī)格