具有肖特基二極管的雙路 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側 MOSFET，集成了肖特基
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 197 （信道 2 ） A ， 76 （信道 1 ） A |
| 最大漏源電壓 | 30 （通道 1 ） V ， 30 （通道 2 ） V |
| 封裝類型 | PowerPair 6x5f |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0014 （ Ω 2 ） μ a 、 0.005 （通道 1 ） Ω μ a |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V |
| 最大功率耗散 | 28 w 、 74 w |
| 晶體管配置 | 雙路 |
| 最大柵源電壓 | +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 5.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19nc @ 15v （通道 1 ）， 83nc @ 15v （通道 2 ） |
| 長度 | 6.1mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
